在了解（jiě）5V单（dān）片机驱动mos管（guǎn）电路之前，先（xiān）了解一下单片机驱动mos管电路图（tú）及原理，单（dān）片机驱动（dòng）mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西，要只是一个（gè）继电器（qì）之类的小负载的（de）话（huà）直接（jiē）用51的引（yǐn）脚驱（qū）动就可以，要注（zhù）意电感类（lèi）负载要加保护二极（jí）管和吸收缓冲，最好用（yòng）N沟（gōu）道的MOS。

如果驱动的东西(功（gōng）率（lǜ）)很大，(大电流、大电压的场合)，最好（hǎo）要（yào）做电气隔离、过（guò）流超压保护、温度保护等……此时（shí）既要隔离传送控（kòng）制信号(例（lì）如（rú）PWM信号)，也（yě）要给（gěi）驱动级(MOS管的推动电路)传（chuán）送电能。常用的信号传（chuán）送有PC923 PC929 6N137 TL521等至于电（diàn）能的传（chuán）送可（kě）以用DC-DC模块。如果是做产（chǎn）品（pǐn）的话建议自己搞一个（gè）建（jiàn）议的DC-DC，这样可（kě）以降（jiàng）低成本。然后MOS管有（yǒu）一种（zhǒng）简单的驱动方式:2SC1815+2SA1015，NPN与PNP一个用（yòng）于MOS开启驱动（dòng），一个用于MOS快速关断。
图一：适合开关频率不高的场合，一（yī）般低于2KHz。

其中（zhōng）R1=10K，R2、R3大小由V+决定，V+越高，R2、R3越大，以保（bǎo）证电阻（zǔ）及三极管（guǎn）功耗（hào）在（zài）允许范围，同时保证R2和R3的（de）分压VPP=V+ 减10V，同时V+不能（néng）大（dà）于（yú）40V。

补（bǔ）充：图二：适合高频大（dà）功率（lǜ）场（chǎng）合，到达100KHz没问题，同时（shí）可以并联多个MOSFET-P管

R2、R3需（xū）要满足和图一一样的条件，其（qí）实就是图一加了级推挽，这（zhè）样就可（kě）以保证MOSFET管高速开关，上面6P小电容（róng）是（shì）发射结结电容补偿（cháng）电（diàn）容，可（kě）以改（gǎi）善三极管高（gāo）速开关特（tè）性。

另（lìng）外：MOSFET的栅极电容较（jiào）大，在使用的时（shí）候应该（gāi）把它当成一（yī）个容抗负载来看。

MOS管驱动电路

在（zài）使用MOS管设计开关（guān）电源或者（zhě）马达驱动（dòng）电路的时候，大部（bù）分人都会（huì）考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大（dà）电流等，也有很（hěn）多人仅（jǐn）仅考虑这（zhè）些因（yīn）素。这样的电路也许是可以工（gōng）作的，但并不（bú）是（shì）优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。

MOS管（guǎn）导通特性（xìng）

导通的意思是作为开关，相（xiàng）当于开（kāi）关闭（bì）合。

NMOS的特性：Vgs大于一定的值就会导通（tōng），适合用于源（yuán）极接地时的情况(低端驱动（dòng）)，只要栅极（jí）电压达到4V或10V就（jiù）可以了（le）。PMOS的特性（xìng）：Vgs小于一定（dìng）的（de）值就会导通，适合用（yòng）于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但（dàn）是，虽然PMOS可以很方便（biàn）地用（yòng）作高端驱动，但由于导通电（diàn）阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高（gāo）端（duān）驱动中，通常还是使（shǐ）用NMOS。

MOS开（kāi）关管损失

MOS管驱（qū）动电路不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样（yàng）电流就会在这个电阻（zǔ）上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通（tōng）电阻（zǔ）小的MOS管（guǎn）会减小导通损耗（hào）。现在的小（xiǎo）功率MOS管导通电（diàn）阻一（yī）般在几十毫（háo）欧左右，几（jǐ）毫欧的也有。

MOS在导通和截止（zhǐ）的时（shí）候，一定不是在（zài）瞬间完成的（de）。MOS两端的电压有一（yī）个下（xià）降（jiàng）的过程，流过的电流有一个上升的过程，在（zài）这段时间内，MOS管的损失（shī）是电压和电流的乘积，叫做开关（guān）损失。通常开关（guān）损（sǔn）失比导通损失大得多，而（ér）且开关频率越快（kuài），损失也越大。

导通瞬间电压和电（diàn）流的乘积很（hěn）大，造成（chéng）的（de）损（sǔn）失（shī）也就很（hěn）大（dà）。缩短（duǎn）开关时间，可以减（jiǎn）小每次导通时的损失;降低开（kāi）关（guān）频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都（dōu）可以减小开（kāi）关（guān）损失。

MOS管驱动

跟双极（jí）性晶体（tǐ）管（guǎn）相比，一般认为（wéi）使（shǐ）MOS管导（dǎo）通不需（xū）要电流（liú），只要GS电压高于一（yī）定的（de）值，就可以了（le）。这个很容（róng）易做到，但（dàn）是，我们还需要速（sù）度（dù）。在MOS管的结构中（zhōng）可以（yǐ）看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就（jiù）是对电（diàn）容的充放电（diàn）。对电容的充（chōng）电需要一个（gè）电流，因为对电容充电瞬间（jiān）可以把电容看成短路，所以瞬间（jiān）电（diàn）流会（huì）比较（jiào）大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的（de）是可（kě）提供瞬间短路电流（liú）的大小。

MOS管驱（qū）动电路第（dì）二注意的是，普（pǔ）遍用于高端（duān）驱动的NMOS，导（dǎo）通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的（de）MOS管导通（tōng）时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所（suǒ）以（yǐ）这时栅（shān）极（jí）电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系（xì）统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电（diàn）路了。很多马达（dá）驱动器都集成了（le）电荷泵，要注（zhù）意的是应该（gāi） 选择合适的（de）外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

上边说的4V或10V是常用的（de）MOS管（guǎn）的导（dǎo）通（tōng）电压，设计（jì）时当然需要有一定的余量（liàng）。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域（yù）里，但（dàn）在（zài）12V汽车电子（zǐ）系（xì）统里，一般4V导通就够用了。MOS管的驱动（dòng）电（diàn）路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers toMOSFETS。讲述得很详细，所以不（bú）打算多写了（le）。

MOS管应用电路

MOS管（guǎn）最显著（zhe）的特性是开关特性好，所以被（bèi）广泛应用在需要电（diàn）子开关的电路中，常见的如开关电（diàn）源和马达驱（qū）动，也（yě）有（yǒu）照（zhào）明调光。

二、现在的MOS驱动，有（yǒu）几个特别的应用：

1、低压（yā）应（yīng）用当使用5V电源，由于三极管的be有（yǒu）0.7V左（zuǒ）右的压降，导致实际最（zuì）终加在gate上的电压只（zhī）有4.3V。这时候，我们选（xuǎn）用标称（chēng）gate电压4.5V的MOS管就存在一（yī）定的风险。同样的问题也发（fā）生在使（shǐ）用3V或者（zhě）其他低压电源的（de）场合。

2、宽电压应用输入电压并不（bú）是一个（gè）固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管（guǎn）的驱（qū）动电压是（shì）不稳定的。为了让（ràng）MOS管在高gate电压（yā）下安全，很多MOS管内置了稳（wěn）压管强行限制gate电压的幅值。在（zài）这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电（diàn）压，就会引（yǐn）起较（jiào）大的静态功耗。同时，如果简单的用（yòng）电阻分压的原理降低gate电压，就（jiù）会（huì）出（chū）现输（shū）入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的（de）时候gate电（diàn）压不足，引起导（dǎo）通不够（gòu）彻底，从而增加功耗。

3、双电压应（yīng）用在一（yī）些控制电路中（zhōng），逻辑（jí）部分（fèn）使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更（gèng）高的电压。两（liǎng）个电压采用（yòng）共（gòng）地方（fāng）式连接（jiē）。MOS管驱动（dòng）电路。这就提出一个要（yào）求，需要使用一个电路（lù），让低压侧能（néng）够（gòu）有效的控制高压侧（cè）的MOS管，同时高压侧（cè）的MOS管也同（tóng）样会面对1和2中提到（dào）的问题。